삼성 galaxy S8에 탑재될 퀄컴의 새로운 AP인 Snapdragon 835에 대해서 알아봅시다.
사진은 기존 버전인 Snapdragon 820과 835를 비교한 것입니다. 공정이 세밀화 되면서 크기도 줄어든 걸 확인할 수 있습니다.
이미지 출처 :
http://www.pcadvisor.co.uk/new-product/mobile-phone/snapdragon-835-specs-features-meet-chip-that-will-power-2017-flagships-3649321/
이번에 출시될 갤럭시 S8에 채용되어서 더 관심이 모아지고 있습니다.
크게 보면 다음 항목에 대해서 확인해보시면 됩니다.
1. 베터리 수명 향상
기존 821 버전과 비교하면 835는 25%수준의 베터리의 성능이 향상된다고 합니다. 이것은 기존 14나노 공정에서 10 나노 공정으로 되면서 자연스럽게
전력 소비가 줄어들기 때문입니다.
2. 성능 향상
공정이 세밀화 된다는 것은 자연스럽게 크기도 줄어들고 더 많은 logic을 집어넣을 수 있다는 이야기입니다. 자연스럽게 성능이 향상되는 것이지요.
아마도 갤럭시 S8 이 출시가 되면 실제 성능에 대해서 benchmark가 진행이 되겠지만 보안과 WIFI 성능까지 개선이 되었기 때문에 더 좋은 성능을 기대할 수 있습니다.
3. quick charge 4.0
기존 quick 3.0에서 다음 버전을 탑재했습니다. 충전속도가 기존보다 20% 향상된다고 합니다. 기존 835 제품 설명회에서 Qualcomm 제품 경영 담당 임원은 quick chage 4.0 기술은 베터리 50% 충전하는데 약 15분 정도 걸린다고 이야기한 바도 있습니다. 사실 기존 3.0도 성능이 괜찮다고 여겨왔는데 거기서 더 개선이 된거니 점점 베터리에 대한 걱정이 줄어들게 될 것 같습니다.
4. EIS (Electronic Image Stabilization)
카메라의 손떨림방지 기술이라고 생각하시면 됩니다. 기존에는 카메라 모듈레벨에서 OIS 기술을 이용해서 떨림을 보정했다면
더 정밀하게 (아마도 자이로 센서를 이용해서 모션 디텍후에 카메라 센서를 작동시키는 원리인듯) 손떨림을 방지하는 기술입니다.
OIS와도 동시에 사용할 수도 있으니 이것은 이제 스마트폰 메이커따라서 차이가 있을 수 있습니다.
그리고 카메라 관련해서 835 chip set은 32M 크기의 센서까지 zero shutter lag 으로 이미지 처리가 가능하다고 합니다. 16M 2개를 이용한 dual camera도 가능하다고 합니다.
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